728x90
DDR4 SDRAM : 스마트폰, 노트북등 IT제품의 성능과 전력소모를 결정하는 핵심 부품으로 DDR3 SDRAM 출시이후 7년만에 업그레이드 되었으며, 전력소모 11~20% 개선, 성능 33~100% 향상되었습니다.
3D VNAND FLASH : 미세화를 통한 용량 상승의 한계에 따라, 2차원 평면에 형성된 Cell을 접어서 세워 3차원 구조로 만드는 방식으로, 동일한 공정 적용시 쓰기 속도는 2배향상, 쓰기 횟수는 2~10배 향상, 용량(24단적층 기준)은 2배 이상 증가, 소비전력 50% 감소, 내구성은 10배까지 향상됩니다. 현재 삼성전자가 32단적층에 성공하여 가장 앞서있으며, 2014년 세계 최초로 3D NAND SSD 양산에 성공하였습니다.
운영홈페이지 : http://www.tcctech.co.kr
QR 코드 :
'반도체 패키징기술' 카테고리의 다른 글
팹리스(Fabless) 및 파운드리(Foundry) (0) | 2017.03.31 |
---|---|
비메모리 반도체 (0) | 2017.03.24 |
메모리 반도체 (0) | 2017.03.10 |
팹리스와 파운드리 (0) | 2017.03.03 |
IDM(종합반도체업체) (0) | 2017.02.24 |