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에피성장을 거친 웨이퍼는 사파이어 기판위에 버퍼층으로 GaN를 성장시키고 전자(electron)가 도핑된 n-GaN과 활성층, 정공(hole)이 도핑된 p-GaN의 구조를 갖게됩니다. p층과 n층에 전류를 흘려줄수 있는 전극으로 활용하기 위한 금속접점을 연결하고 불필요한 부문을 제거하는 에칭과정을 거치면 칩 제조 공정이 마무리됩니다.
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