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  1. 2017.05.12 이온주입(Ion Implantaion) 및 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)


이온주입(Ion Implantaion) : 회로패턴과 연결된 부분에 불순물(붕소, 인, 비소등)을 이온화(미세한 Gas입자 형태로 가속)시켜 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어주는 공정입니다.


증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) : 웨이퍼위에 원하는 분자 또는 원자단위의 물질을 박막의 두께로 입혀 전기적인 특성을 갖게하는 일련의 공정으로써, 균일한 정도에 따라 품질이 좌우됩니다.

증착의 방법은 크게 물리적 기상증착방법(PVD, Physical Vapor Deposition)과 화학적 기상증착방법(CVD, Chemical Vapor Deposition)으로 구분할수 있습니다.

물리적 기상증착방법(PVD) : 금속박막의 증착에 주로 사용되며 화학반응이 수반되지 않습니다.

화학적 기상증착방법(CVD) : 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 외부 에너지가 부여된 수증기 형태로 쏘아 증착시키는 방법으로 도체, 부도체, 반도체의 박막증착에 모두 사용가능합니다.





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