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  1. 2017.04.21 반도체 제조공정 - 산화공정 및 감광액 코팅


산화공정(Oxidation Layering)

웨이퍼에 여러가지 물질로 얇은 막을 증착하는 대표적인 방법으로, 고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성시키는 과정입니다. 이때 형성되는 산화막은 공정시 발생하는 불순물(오염물질, 화학물질)로 부터 실리콘 표면을 보호하는 역할을 합니다.


감광액 코팅(PR Coating, Photoresist)

웨이퍼 표면에 빛에 민감한 물질인 감광액(PR, Photo Resist)을 균일하게 도포하는 과정으로써 웨이퍼에 균일하게 코팅된 감광액은 빛에 반응하는 형태에 따라서 양성 혹은 음성으로 구분됩니다.






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Posted by 티씨씨

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