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  1. 2014.05.20 전도성 고분자의 도핑

 

 

공액계의 전도성 고분자는 무기계 반도체와 같은 밴드구조를 가지며, 또한 전도성 고분자는 도판트를 주입하면 밴드갭 내에 소리톤, 폴라론, 바이폴라론 등의 캐리어 준위가 생겨 전기전도성이 변화합니다. 이때 전도성 고분자의 캐리어 밀도도 캐리어 이동도 상승적으로 변화하기 때문에 도핑에 따른 전도성 고분자의 전기전도도는 극적으로 변화하고, 그 변동범위는 10배 가까이 달합니다. 여기에서 전도성 고분자는 전기화학적 산화환원 반응에 의해 도판트가 전도성 고분자 내부에 가역적으로 출입되어, 무기반도체에서는 발현될 수 없는 현장 도우프가 가능해집니다.

 

 

 

 

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Posted by 티씨씨

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