'산화실리콘'에 해당되는 글 2건

  1. 2014.07.22 폴리티오펜계 전도성 고분자의 트랜지스터에 이용한 기술 (2)

 

 

게이트전극의 역할을 담당하는 n형 실리콘 기판 상에 열산화법에 의해 산화실리콘의 절연막을 형성하고, 또한 소스 및 드레인으로 되는 금의 증착전극을 10미크로미터 간격으로 형성합니다. 이 금 전극을 작용전극으로 하여 폴리티오펜막을 전해중합에 의해 형성합니다. 전해중합의 지지전해질로서 사용되는 퍼클로레이트 이온이 도핑되기 때문에 폴리티오펜은 p형 반도체가 됩니다.
FET에 있어서 게이트에 인가하는 전압을 변화시킴으로써 소스, 드레인 간의 전류를 2자리 수로 제어할 수 있고, 또한 스위칭 특성을 액정표시소자의 구동에도 이용할 수 있습니다. 이러한 전기특성은 1개월 이상에 걸쳐 변화가 없는 것이 특징입니다.
이 방법은 아직 연구단계이지만, 전도성 고분자의 전도율을 외부로부터의 전압에 의해 제어할 수 있다는 점에서 주목을 받고 있습니다.

 

 

 

 

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  1. Favicon of https://anunmankm.tistory.com BlogIcon 버크하우스 2014.07.22 08:33 신고  댓글주소  수정/삭제  댓글쓰기

    잘 읽고 갑니다. 오늘도 편안한 하루 되세요. ^^

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