2015. 9. 11. 08:30 반도체 패키징기술
적층한 칩간 배선연결기술
지금까지의 DRAM은 미세화 공정으로 대용량화를 이루기는 했지만, 실장면적의 경우에는 계속 증대하는 경향을 보입니다. Si 관통전극은 메모리 칩에 열린 작은 관통 컨택홀에 Cu를 도금법으로 채워 넣어, 적층한 칩 간의 회로를 연결하는 기술입니다. 이는 베어 칩 정도의 실장 면적 실현이 가능하고, 용량이 같은 현행 DRAM과 비교하여 소비전력을 30% 정도 절약할 수 있는데, 지금까지 메모리 어레이 내에서 2차원적으로 배선해 온 내부 버스를 3차원화함으로써 배선거리를 짧게 할 수 있었기 때문입니다.
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