2017. 7. 14. 08:30 반도체 패키징기술
3D NAND 시장확대
NAND FLASH 메모리는 전원이 꺼진 상태에서도 데이터의 보관이 가능합니다. DRAM과 달리 데이터를 임시 저장하는 Capacitor가 필요없는 단순구조이므로 DRAM대비 공정구현이 쉽습니다. 때문에 NAND는 DRAM대비 미세화가 앞서있는 상황입니다.
NAND도 10nm 중반으로 오면서 미세화에 한계가 오고 있습니다. 셀(Cell)간의 신호간섭 현상이 심화되고, 저장할수 있는 데이터(전하)의 양도 감소하고 있습니다. 이런 2D NAND 미세화의 한계를 극복하기 위해 3D NAND 기술이 본격적으로 도입되고 있습니다. 해당분야에 대해 세계에서 가장 앞선 기술을 보유한곳이 삼성전자입니다.
3D NAND는 2차원 평면에 형성된 Cell을 접어서 세워서 3차원 구조로 만드는 방식입니다. 동일 용량을 확보하기 위한 면적이 2D대비 크게 감소합니다.
3D는 2D대비(동일공정 적용시) 쓰기속도 2배, 쓰기횟수 2~10배, 용량(집적도 24단시) 2배, 내구성 10배, 소비전력은 절반으로 감소합니다.
운영홈페이지 : http://www.tcctech.co.kr
QR 코드 : 
'반도체 패키징기술' 카테고리의 다른 글
| 반도체 공정 미세화의 어려움 (0) | 2017.07.28 |
|---|---|
| 반도체 공정의 미세화 (0) | 2017.07.21 |
| 3D NAND 시장확대 (0) | 2017.07.14 |
| DRAM의 공정미세화 (0) | 2017.07.07 |
| DRAM 미세전환 (0) | 2017.06.30 |
| 패키징(Packaging)공정 정리 (0) | 2017.06.23 |
TAG 3d,
Capacitor,
CELL,
DRAM,
flash,
Nand,
nand는,
RAM,
가능,
가장,
가장앞선,
간섭,
감소,
감소하고,
공정,
공정구현,
공정구현이,
공정적용,
공정적용시,
구조,
구조로,
구현이,
극복,
극복하기,
기술,
기술을,
기술이,
꺼진,
꺼진상태,
꺼진상태에,
꺼진상태에서,
꺼진상태에서도,
내구,
내구성,
단순,
단순구조,
달리,
대비,
대해,
데이터,
데이터를,
데이터의,
도입,
도입되,
도입되고,
동일,
동일공정,
동일공정적용,
동일공정적용시,
동일용량,
동일용량을,
되고,
때문,
때문에,
만드는,
메모,
메모리,
메모리는,
면적,
면적이,
미세,
미세화,
미세화가,
미세화에,
미세화의,
방식,
보관,
보관이,
보유,
보유한,
보유한곳,
본격,
본격적,
본격적으로,
분야,
분야에,
삼성,
삼성전자,
상태에,
상태에서,
상태에서도,
상황,
생태,
세계,
세계에서,
세워,
세워서,
셀,
셀간,
셀간의,
소비,
소비전력,
소비전력은,
속도,
쉽습,
시장,
시장확대,
신호,
신호간섭,
심화,
심화되고,
쓰기,
쓰기속도,
쓰기횟수,
앞서,
앞서있는,
앞선,
없는,
오고,
오면,
오면서,
용량,
용량을,
위한,
위해,
으로,
이런,
이므로,
임시,
임시저장,
임시저장하는,
있는,
저장,
저장하는,
저장할,
저장할수,
적용,
적용시,
전력,
전력은,
전원,
전원이,
전자,
전하,
절반,
절반으로,
접어,
접어서,
중반,
중반으로,
집적,
집적도,
차원,
크게,
평면,
평면에,
필요,
필요없는,
하고,
하기,
한계,
한계가,
한계를,
해당,
해당분야,
해당분야에,
현상,
현상이,
형성,
형성된,
확대,
확보,
확보하기,
횟수
댓글을 달아 주세요