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  1. 2017.03.17 DDR4 SDRAM와 3D VNAND FLASH


DDR4 SDRAM : 스마트폰, 노트북등 IT제품의 성능과 전력소모를 결정하는 핵심 부품으로 DDR3 SDRAM 출시이후 7년만에 업그레이드 되었으며, 전력소모 11~20% 개선, 성능 33~100% 향상되었습니다.

3D VNAND FLASH : 미세화를 통한 용량 상승의 한계에 따라, 2차원 평면에 형성된 Cell을 접어서 세워 3차원 구조로 만드는 방식으로, 동일한 공정 적용시 쓰기 속도는 2배향상, 쓰기 횟수는 2~10배 향상, 용량(24단적층 기준)은 2배 이상 증가, 소비전력 50% 감소, 내구성은 10배까지 향상됩니다. 현재 삼성전자가 32단적층에 성공하여 가장 앞서있으며, 2014년 세계 최초로 3D NAND SSD 양산에 성공하였습니다.





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Posted by 티씨씨

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