2017.07.07 08:30 반도체 패키징기술
DRAM의 공정미세화
기존 ArF광원을 이용하여 DPT공정을 사용할 경우 선폭을 16nm까지 축소할수 있습니다. 하지만 노광을 2회 수행하면서 추가되는 프로세스로 인하여 기존 공정에 비하여 생산성이 떨어지게 됩니다. 때문에 DPT를 이용하여 30nm이하로 공정 전환시 웨이퍼 투입량이 감소하게 됩니다.
따라서 30nm 이하의 공정전환에서 DPT 스텝증가에 따른 캐파 자연감소분으로 동일한 Bit Growth를 위한 Capex가 급격히 증가하며, 동일한 투자금액으로 달성할수 있는 Bit Growth가 현저히 감소합니다.
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