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DRAM은 일시 기억 기능을 가진 LSI이며, 그 구조는 막대한 수의 트랜지스터와 캐퍼시터의 집합체입니다. CPU와 마찬가지로 동작 속도 향상, 배선 지연의 방지, 단위면적당 비트수의 증대를 위해서는 매우 미세한 가공 기술이 요구됩니다.
레지스트 재료는 사용하는 파장에 따라 g선(436nm), i선(365nm), KrF 엑시머광(248nm), ArF 엑시머광(193nm)으로 바뀝니다. g선, i선용 레지스트의 경우, 노볼락형 수지와 나프토퀴논디아지드와의 조합하여 사용합니다. 노광부와 미노광부의 알카리 현상액에 대한 용해속도의 콘트라스트를 이용하여 빛에 의해 미세한 패턴을 형성하게 됩니다. 베이스가 되는 노볼락 수지의 분자량, 분자량분포, 분기 상태 등의 구조 제어를 통해 알카리 현상액에 대한 용해 속도나 나프토퀴논디아지드와의 상호 작용 강도를 제어하고, 나프토퀴논디아지드구조를 포함한 감광제 모핵 화합물의 구조를 바꿔 레지스트 패턴의 조정, 해상도의 향상을 도모하고 있습니다.
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