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반도체 제조공정은 다음과 같은 3개의 공정으로 나눠집니다.
첫째, 웨이퍼제조 및 마스크공정 - 잉곳을 가공하여 웨이퍼 제조후 마스크제작
둘째, 전공정(Fab) - 웨이퍼 위에 회로를 새겨 칩을 완성
셋째, 후공정(Inhouse / Outsourcing) - 칩절단, 패키징, 테스트
잉곳(Ingot) 만들기
고순도로 정제된 실리콘(규소) 용액을 주물에 넣어 회전시키면서 실리콘 기둥(Ingot)을 만듭니다. 실리콘 결정 성장기술인 초크랄스키법(CZ) 혹은 플로팅존법(FZ)등을 이용하여 얻을수 있습니다.
잉곳 절단(Wafer Slicing)
잉곳(Ingot)의 말단을 제거하고, 다이아몬드 톱을 이용하여 균일한 두께의 얇은 웨이퍼(Wafer)로 절단합니다.
웨이퍼 표면 연마(Lapping & Polishing)
웨이퍼의 표면에 여러종류의 막을 형성시켜, 이미 만든 마스크를 사용하며,
Lapping : 웨이퍼의 표면을 기계적으로 닦아줌
Wafer Etching : 웨이퍼 표면을 에칭하여 표면 흠집을 제거
Wafer Polishing : 웨이퍼의 한쪽면을 연마하여 거울면처럼 만들어줌
운영홈페이지 : http://www.tcctech.co.kr
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