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LED의 휘도를 결정하는 핵심 기술은 사파이어 기판위에 GaN를 증착시키는 에피성장(Epitaxial Growth) 공정에서 발생하는 내부결함을 최소화하여 전자와 정공의 결합을 원활하게 해주는 것입니다.
우리나라와 대만의 에피성장업체들이 생산한 LED 칩의 휘도가 니치아(Nichia)나 루미레즈(Lumileds)에 비하여 떨어지는 이유는 고휘도 LED를 생산할 수 있는 에피성장 기술력이 부족하기 때문입니다. 2인치 웨이퍼 한 장에서 300㎛*300㎛ 크기의 휴대폰용 Side View LED에 사용되는 LED칩을 생산할 때 니치아는 약 70%, 국내와 대만의 에피업체들은 20~30%의 칩이 기준을 넘어서는 휘도를 갖는 것으로 추정됩니다. 이러한 수율의 차이는 니치아는 독자적으로 설계한 MOCVD를 사용하고, 다른 기업들은 독일, 미국등에서 생산되는 범용 MOCVD를 양산에 이용하기 때문에 니치아는 생산에 최적화된 조건을 확보하고 있기 때문으로 판단됩니다.
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