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나노기반 내부양자효율 개선 구조 에피개발 (Pillar, Rod, SP, Hybrid, FRET)을 하여야 합니다.
(Al)GaInP계 에피탁시 기술개발이 필요합니다.
고농도 p형 AlInP 기술, carrier overflow억제 기술이 필요합니다.
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