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고농도 p형 도핑기술, 고품위 (Al)InGaN계 양자우물 성장기술, Carrier Overflow 억제 기술, Non/Semi polar 성장 기술 개발, monolithic 백색 에피기술, InN 성장기술, 고 내정전압 기술, 대구경 에피 성장 기술 개발을 하여야 합니다.
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