반도체 제조공정 - 노광 및 현상

노광(Lithography 혹은 Exposure)

감광액이 코팅된 웨이퍼에 노광장비(Stepper)를 사용하여 마스크(Mask)에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼에 회로패턴을 사진찍는 공정입니다.

현상(Development)

웨이퍼에 현상액을 뿌려가며 노광(Lithography)된 영역과 노광되지 않은 영역을 선택적으로 제거해 패턴을 만드는 과정입니다.

※ 감광액 코딩 - 노광 - 현상을 통상 포토공정이라고 합니다.

포토공정(Photolithography)은 반도체 제조공정에서 공정비용의 35%, 공정시간의 60%이상을 차지하는 핵심기술로 가장 난이도 높고 중요한 공정입니다.

반도체 미세화를 통한 생산성 향상을 위해서는 미세한 패터닝을 위한 더 짧은 파장의 광원이 필요합니다.

현재 주요 노광장비 광원은 g-line(436nm), i-line(356nm), KrF광원(248nm), ArF(193nm)광원을 사용하고 있습니다.

최근 ArF 광원으로도 미세화 패터닝에 어려움이 생겨서 물을 이용한 ArF Immersion방식이 적용되고 있습니다.

더 미세한 선폭 공정을 위해서는 더 짧은 파장의 차세대 광원 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선)이 필요합니다.

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