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현재 반도체 공정에서는 화학적 기상증착방법(CVD)를 주로 사용하며 CVD는 사용하는 외부 에너지에 따라 열 CVD, 플라즈마 CVD, 광 CVD 등으로 세분화되며, 그중 플라즈마 CVD의 경우, 다른 CVD에 비하여 저온에서 형성이 가능하며 두께 균일도를 조절할수 있고, 대량처리가 가능하다는 장점으로 인하여 현재 가장 많이 이용중입니다.
LPCVD(Low Pressure CVD) : 저압(0.2~0.7mm Torr)의 용기내에 단순한 열에너지에 의한 화학반응을 이용하여 박막을 증착하는 방법입니다.
PECVD(Plasma Enhanced CVD) : 강한 저압으로 야기된 Plasma를 이용하여 반응물질을 활성화시켜 기체상으로 증착하는 방법입니다. Plasma에 의하여 증착된 물질들이 에너지를 얻어 낮은 온도에서 증착이 가능합니다.
ALD(Atomic Layer Deposition) : 화학적으로 달라붙은 단원자층의 현상을 이용한 나노 박막증착기술로써, 웨이퍼 표면에서 분자의 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로 원자층 두께의 초미세층간 증착이 가능하고, 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을수 있습니다.
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