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NAND FLASH 메모리는 전원이 꺼진 상태에서도 데이터의 보관이 가능합니다. DRAM과 달리 데이터를 임시 저장하는 Capacitor가 필요없는 단순구조이므로 DRAM대비 공정구현이 쉽습니다. 때문에 NAND는 DRAM대비 미세화가 앞서있는 상황입니다.
NAND도 10nm 중반으로 오면서 미세화에 한계가 오고 있습니다. 셀(Cell)간의 신호간섭 현상이 심화되고, 저장할수 있는 데이터(전하)의 양도 감소하고 있습니다. 이런 2D NAND 미세화의 한계를 극복하기 위해 3D NAND 기술이 본격적으로 도입되고 있습니다. 해당분야에 대해 세계에서 가장 앞선 기술을 보유한곳이 삼성전자입니다.
3D NAND는 2차원 평면에 형성된 Cell을 접어서 세워서 3차원 구조로 만드는 방식입니다. 동일 용량을 확보하기 위한 면적이 2D대비 크게 감소합니다.
3D는 2D대비(동일공정 적용시) 쓰기속도 2배, 쓰기횟수 2~10배, 용량(집적도 24단시) 2배, 내구성 10배, 소비전력은 절반으로 감소합니다.
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