반도체 Assembly 공정에 있어 작업성에 영향을 줄 수 있는 중요한 Factor중의 하나는 Wire Bondability입니다. Wirebonding시의 문제점은 첫째, 부적절한 Cure조건으로 인해 접착제의 경화가 완전히 이루어 지지 않거나 접착제의 Elastic Modulus값이 지나치게 낮을 경우 발생하며 그 Mechanism은 접착제가 Wire Bonder의 Ultrasonic Energy를 흡수하게 되는 일명 "Cushion" 현상이 생기기 때문입니다. 따라서 Die Size가 작을 경우 BNS(Bond-No-Stick)나 낮은 Ball Shear Strength를 나타낼 수 있으며 이는 신뢰성 Test시 Failure의 원인이 될 수 있습니다. 둘째, 경화 중에 발생되는 Fume이나 Bleed현상으로 인한 Silicon Chip과 Leadframe상의 Organic Contamination이 BNS를 유발시킬 수 있습니다. 셋째, 심한 Die Tilt가 있는 경우 Wirebonding시 Chip Damage및 Bonding불량이 발생할 수 있습니다. 넷째, Copper Leadframe의 경우 Adhesive의 Modulus가 높고 Die Size가 크면 열팽창계수 차이로 인해 Warpage가 발생되기 때문에 Wirebonding시 Chip Delamination, 심한 경우 Chip Crack까지도 발생될 수 있습니다. 이러한경우 Process Change없이도 Die Tilt와 Bondline Thickness를 자체적으로 Control할 수 있는 Spacer가 함유된 접착제를 사용하면 더욱더 안정된 제품생산이 가능하며 Adhesive 생산업체는 이러한 접착제 생산에 계속적으로 연구개발에 박차를 가하고 있습니다.
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