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  1. 2012.07.12 무연솔더 기술
  2. 2012.07.09 정밀부품조립용 접착제
  3. 2012.07.06 플립칩 기술
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주석과 결합된 납은 전자적 결합에 널리 사용되는 낮은 용융점의 합금을 형성합니다. 그러나 납이 신장, 간, 혈액 및 중앙 신경체계 등을 손상시킬 수 있음이 의학적 연구를 통해 밝혀져 왔습니다. 연간 세계 납 소비의 1% 이하가 전자제품을 위한 솔더 합금에 사용되어지고 있으나, 전기 전자 시스템이 매립지에서 차지하는 비율은 점차 증가하는 추세입니다. 매립지로부터 지하수면으로 누출된 납은 장기적으로 흙과 지표수의 오염원이 될 수 있음이 경고되어져 왔습니다. 최근 제조물에서 납의 사용을 제한 또는 금지시키는 국제법들이 제안되어 왔는데, 가장 공격적이고 잘 알려진 노력은 2008년까지 전자제품에서 납을 금지하는 유럽연합의 전기전자장비 폐기물 지침(Waste Directive in Electrical and Electronic Equipment)입니다. 일본 환경청은 납함유 폐기물을 반드시 밀폐된 매립지에 처리할 것을 제안하였습니다. 일본 경제산업성과 일본 자동차 산업연합은 2001년까지 자동차(배터리 포함)에서 납 사용을 50%로 줄이고, 2003년까지는 33.3%로 줄일 것을 요구하였습니다. 전자장비 제조자들은 이러한 금지안에 대하여 다양한 방법으로 대응하고 있습니다. 다수의 회사들은 입법이 발효되지 않기를 바라면서 관망하고 있는 상태이나, 다른 회사들은 금지안에 대한 공격적인 해결책을 모색하고 있으며, 무연 상품을 그린 마케팅 전략으로 이용하기도 하고 있습니다.


지난 10여년간 무연솔더에 대한 광범위한 연구가 발표되어 왔습니다. 글래이저(Glazer)에서 무연솔더에 대한 종합적인 검토를 수행하였는데, 그 이후 캐리어와 보드의 인터커넥션(표면실장 및 관통홀)에 연구가 집중되어 왔으며, 특히 플립칩 결합을 위한 무연솔더 분야에 관심이 증가하고 있습니다.


플립칩 결합은 반도체 집적 회로와 패키지(또는 직접칩접착에서의 기판) 사이의 전기적 기계적 연결입니다. 이러한 인터커넥션은 외주나 액티브 다이 윗면의 면배열 상에 형성됩니다. UBM은 다이 상에 납땜 가능한 표면을 형성시킵니다. UBM은 또한 주석과 솔더 사이의 확산장벽으로서도 작용하는데, 솔더와 UBM 사이의 상호작용을 견딜 수 있을 만큼 두꺼워야 합니다. 플립칩 결합은 표면실장 결합보다 작으며(150㎛ 정도), 150㎛ 이하의 피치를 갖도록 설계됩니다. 플립칩 결합은 주석과 유기기판 사이의 높은 수준의 스트레인 불일치에 견딜 수 있어야 합니다. 플립칩 기술은 높은 납 성분의 솔더(97.5Pb-2.5Sn)를 이용한 세라믹 패키징에서, 낮은 온도(<260℃)에서 리플로우를 필요로 하는 유기 패키지로 이동하였습니다. 이것은 높은 납성분의 솔더로 다이 범핑함으로써 달성될 수 있는데, 주석-납 공융물로 이를 유기기판에 결합시키게 됩니다. 그러나 이러한 방법은 추가 비용이 들고, 모놀리식 솔더를 사용함으로써 제거될 수 있습니다. 플립칩 결합은 260℃의 최대 리플로우 온도를 갖는 유기기판에의 결합과 호환되는 기판 수준의 리플로우 환경을 견딜 수 있어야 합니다. 무연솔더는 이러한 요구들을 충족시켜야 함은 물론 대체될 주석-납 공융물과 동일 수준이거나 그 이상의 성능을 발휘해야 합니다.


무연 플립칩 결합의 또 다른 장점은 알파입자 방사하는 Pb210이 감소한다는 점입니다. 이들은 능동 입자에 가깝기 때문에, 플립칩 솔더 결합은 다이의 셀 사이즈가 줄어듬에 따라 더욱 중요해진 CMOS 기술에서의 소프트 에러 제한을 위해 최소한의 알파입자 방사 수준을 가져야 합니다. 무연솔더의 조성물들(주석, 구리, 은, 비스무스, 인듐, 안티몬 등)은 방사성 붕괴를 하지 않으므로 알파입자 방사가 최소화됩니다.

 

 

 

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세계 접착제 시장 동향 : 전자, 항공, 디스플레이, 광관련산업에 적용되는 추세 입니다. 첨단 산업 발전에 힘입어 부가가치가 높은 고기능성 접착제 개발이 접착제 시장의 세계적인 추세입니다. 미국, 일본, 유럽 선진국이 주도 (85%차지)하여 접착제 개발을 진행하고 있습니다.


국내 접착제 시장 동향 : 현재는 배합 기술 위주의 개발 단계에 있으며, 정밀부품 조립용 기능성 접착제는 대부분 수입에 의존하고 있습니다. 중간체 생산 기술 확보, 가격 경쟁력 확보, 수입 대체 및 수출을 위하여 더욱 기술개발을 하여야 합니다.

응용현황 분석 : 최근 정밀부품 조립용 점∙접착제의 기술동향 및 응용현황에 대한 정보분석, 산업용 전기전자부품, 반도체, 디스플레이, 광학, 오디오∙비디오용 점∙접착제 분야로 나누어 분석을 진행하고 제품개발에 충실하여야 합니다.

기술특허정보분석 : 특허정보를 중심으로 특허 맵핑(Patent Mapping)을수행하여 제품에 대한 특허를 많이 획득하여야 합니다.

 

 

 

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무전해 Ni/Au 범프 형성 순서 및 범프 모양

 

플립칩(Flip Chip) 기술은 기존의 단일 칩 패키지 구조에서 패키지 자체를 생략하고 베어 다이(bare die) 자체를 사용하여 패키지하는 기술로서 2차원적인 패키지 방법의 마지막 방법이라 할 수 있습니다. 반도체 칩 접속에 있어 기존의 접속 방식인 와이어 본딩, TAB 기술로는 시스템 크기를 줄이며 전기적 성능을 향상시키는데 그 한계에 이르고 있습니다. 따라서 새로운 접속기술인 플립칩 기술을 사용한 Direct Chip Attach(DCA) 기술, CSP, MCM 기술의 필요성이 점점 커지고 있습니다.
플립칩 기술의 장점은 다음과 같습니다. 최소한의 크기와 무게, 공정과 시스템 가격의 감소, 전기적 성능 향상, 열관리 가능, I/O 수가 많은 고밀도 회로소자 접속 가능, area array 접속 설계 가능 등이 있습니다.
플립칩 방법은 IBM에 의해 1970년대 고 용융점 솔더(95Pb-5Sn)를 사용하여 세라믹 기판에 사용하도록 개발되었으며 칩의 UBM(Under Bump metallurgy)도 낮은 주석 함량에 맞도록 고안되었습니다. 그러나 이러한 고 용융점 솔더 플립칩 기술은 기판 가격과 솔더범프 제조 가격이 매우 높은 문제점을 갖고 있습니다. 따라서 근래에는 저가형으로 유기기판을 사용하기 위해 녹는점이 낮은 솔더 물질(공정 조성 납-주석) 또는 무연솔더를 이용하거나 솔더를 사용하지 않는 플립칩 기술을 미국의 IBM, Motorola, Delco, Flip Chip Technology(FCT)나 일본의 Hitachi, Toshiba등의 전세계 모든 전자 회사들이 앞장서 개발하고 있습니다.

 

플립칩 기술의 활용도는 매우 다양하며 다음과 같은 분야에서 사용되고 있습니다.
- 광소자 (GaAs 소자, IR emitter / detector)
- 마이크로웨이브 통신 (휴대용 단말기 등 4 GHz ~ 10 GHz에서 성공적으로 활용)
- 메모리소자 (PCMCIA 카드, PC 등에 SRAM, DRAM 소자 사용)
- LCD 소자 (COG 기술에 사용)
- 자동차 under hood 전자부품용

 

이와 같은 광범위한 활용에 있어서 플립칩 기술의 가격을 낮추기 위하여 최근의 플립칩 기술에서는 저가형 플립칩 범프 기술과 Flip Chip on organic substrates 기술이 복합된 direct chip attach(DCA) 기술이 매우 중요하게 되었습니다.  그러므로 저가형 플립칩 범프 형성기술과 이를 이용한 interconnection 기술은 새로운 전자제품 개발을 위한 핵심기술로서 그 활용범위가 매우 큰 필수 불가결한 패키지 기술입니다.
플립칩 기술에 있어 중요한 기술은 범프 및 UBM 형성기술이며 범프 형성기술과 범프 재료에 따라 다음과 같은 기술로 분류할 수 있습니다.

 

솔더범프
- Evaporated 솔더범프
- Electroplated 솔더범프
- Screen printed 솔더범프

 

비 솔더범프
- 무전해 Ni/Au 범프
- 골드 스터드 범프

 

이중에서 저가형 플립칩 범프 형성기술로는 스크린 프린트 솔더범프, 무전해 Ni/Au 범프, 골드 스터드 범프 기술 등이 있습니다.

 

스크린 프린트 솔더범프 형성 기술은 다음과 같은 공정에 의해 제작됩니다.
- 인시츄 스퍼터 클린(in-situ sputter clean)
- 스퍼터 Al/Ni/Cu UBM 증착
- 포토레지스트 도포, 패터닝, 현상
- UBM 식각
- 포토레지스트 제거
- 솔더 페이스트 증착
- 솔더범프를 형성하기 위한 리플로우 공정

 

 

골드 스터드 범프와 칩

 

스크린 프린트 솔더범프 형성기술의 장점은 용이하고 신뢰성이 높은 공정, 저가, 합금성분 조정 용이(± 2%), 범프높이 조절 용이, 다양한 솔더 등이 있습니다.
무전해 Ni/Au 범프의 경우 간단한 공정으로 인한 최저가격, 범프 균일성의 문제, 대량생산 가능성 등의 특성이 있습니다. 현재 미국의 모토로라 등의 기업에서 이를 제품에 적용하기 위한 연구 개발을 수행하고 있는 선행기술로서 그 활용 범위가 매우 넓은 기술입니다.
골드 스터드 범프 기술은 다음과 같은 공정에 의하여 이루어집니다. 먼저 와이어 본딩 기술을 활용하여 와이어의 ball bond 부근을 절단합니다. 다음으로 볼을 압력을 사용하여 coining 합니다. 끝으로 기판에 전기 접속하기위해 등방성(isotropic) 또는 이방성(anisotrpoic) 전도 필름(conductive film)을 사용하여 전기 접속 시킵니다. 이는 그 공정이 매우 간단하며 가격이 저렴하여 각광 받는 기술로서 그 개발의 필요성이 매우 큽니다. 그러나 일반 솔더범프에서와 같은 self-alignment 기능이 없으므로 매우 정확한 칩 정렬과 높은 압력 및 온도가 필요한 문제점도 있습니다.
CSP, 플립칩 패키지와 같은 고집적 격자형 패키지의 발달에 따라 저가, 고 열안정성, 미세피치, 미세비아 크기를 갖는 새로운 organic board 기술인 Micro-via 기술을 사용한 HDI(High Density Interconnect) 기판이 필요하게 되었습니다. Micro-via 기술을 이용한 미세피치, 미세간극 HDI PCB 기판은 기존의 세라믹 또는 Si 기판에 비해 훨씬 저렴한 가격으로 CSP, 플립칩 패키지 등의 패키지를 실장하는 기판으로서 없어서는 안 될 중요한 기술이라 하겠습니다. 이 기술은 기존의 여러 층을 적층하고 기계적인 drill 방법으로 층의 아래 윗면을 관통하는 구멍을 뚫은 후 이를 도금하여 층간 전기적 연결을 하는 일반적인 PCB 기판 제조방법과는 달리, 반도체 공정의 개념을 사용한 Sequential Build-Up(SBU) 공정을 사용합니다. 기존의 PCB 기판을 코아로 사용하여 그 위에 한 절연체 층을 형성한 후 이 층에 미세한 비아를 형성하고 이를 금속 도금 및 패터닝하여 한 절연층과 금속 도전층을 형성한 후 같은 방법으로 또 다른 층을 형성하여 다층구조를 제조합니다. 이렇게 제조된 MicroVia 기판은 기존의 PCB 기판에 비해 훨씬 우수한 배선밀도를 갖게 됩니다. 이에 따라 적층된 기판 위에 미세한 buried via 또는 blind via를 laser, plasma, photo 방법으로 가공하는 것이 중요한 기술입니다. Micro via를 사용한 HDI 기판은 휴대폰, 노트북 컴퓨터, PCS, 소형 가전제품 등의 기판 등에 널리 사용되고 있으며, 그 외 CSP 또는 Flip Chip In Package (FCIP) 패키지의 기판으로도 널리 사용되고 있습니다.

 

 

Micro Via 기판을 사용한 플립칩 BGA 패키지 단면도

 

 

 

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