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EMC는 열에 의해 경화되어  3차원 경화구조를 형성하는 에폭시 및 경화제로 구성되는 유기재료와 기계적,  전기적 성능향상을 위한 무기재료로 실리카(Silica)를 위주로 하는 필러를 기본 구성요소로 합니다. 그 외에 빠른 경화특성을 부여하기 위해 촉매,  유기재료와 무기재료 사이의 결합력을 높이기 위해 커플링제(Coupling Agent),  몰딩 작업 시 이형성 확보를 위한 왁스(Wax),  착색제(Colorant),  난연제(Flame Retardant) 등의 첨가제로 구성됩니다.

에폭시와 경화제는  EMC의 경화특성 및 점탄특성을 결정하는 주요 성분으로 각각 o-크레졸 노볼락계 에폭시 수지와 페놀 노볼락계 페놀수지 등이 사용되고 있습니다.  또한, 경화반응의 온도와 시간은 경화촉매로 조절할 수 있습니다. EMC에 적용중인 촉매로는 이미다졸계, 인계, 및 사이클로아민계 등이 있습니다. EMC에 사용되는 무기계 필러는 고순도의 비정질 실리카가 대부분이며 특히 고열전도도가 필요한 경우에는 열전도도가 높은 결정성 실리카를 사용합니다. 필러의 함량이 높을수록 EMC에 요구되는 내습성, 기계적, 전기적 특성 등은 향상되지만 용융점도가 급격히 상승하여 성형불량이 많이 발생합니다.  따라서 용융점도를 최소화하면서 필러의 함량을 높이는 고충진 기술이 활발히 연구되고 있으며 현재는 필러 함량  92wt%까지의 제품이 양산, 공급되고 있습니다.

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EMC는 적용하고자하는 반도체패키지의 구조 및 특성을 최적화하기 위해 사용되는 에폭시의 구조와 필러의 함량에 따라 구분됩니다.

반도체는 핀 삽입형(Pin Insertion)에서 표면 실장형(Surface Mounting), 최근에는 Alloy형 반도체로 빠르게 발전하고 있습니다. 이에따라 EMC의 특성을 최적화하기 위해 에폭시의 구조와 필러의 함량이 변경되어 설계되고 있다.

보드 실장 시 높은 열에 방치되지 않는 핀 삽입형 반도체(Discrete & DIP)나 두께가 두꺼운 표면실장형 반도체(SOP, PLCC, MQFP)에는 저가이며 성형성이 양호한 1세대의 Novolac형 에폭시를 기본으로 필러 함량이 70~85%인 EMC를 적용하고 있습니다. 그러나 실장 효율을 향상시키기 위해 두께가 50wt% 이하로 감소된 표면실장형 반도체(TSOP, TQFP)는 외부의 미세한 환경변화(특히 수분)가 칩에 직접 영향을 주기 때문에 극히 낮은 흡습률이 요구됩니다. 따라서, 이를 위해 내습성이 좋은 Biphenyl형 에폭시를 기본으로 필러 함량이 85~90wt%의 EMC가 적용되고 있습니다.

기존의 반도체가 칩을 중심으로 상, 하부 양면이 성형되는 형태임에 반하여, 실장효율의 향상을 위해 개발된 Array형 반도체는 Substrate 위에 칩이 부착되고 한쪽 면만 EMC로 성형되는 구조 입니다. 따라서 성형과정 또는 후공정 중에 Substrate와 EMC간의열팽창계수 차이로 인해 휘어지는 불량(Warpage)이 발생하고, 이를 최소화하기 위해 다관능성 에폭시를 기본으로 필러함량 80~90wt%의 EMC가 적용되고 있습니다.

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CSP 패키지는 단일 칩 패키지(single chip package)의 발전에 있어 최근 매우 주목 받는 패키지로서 반도체/패키지 면적비가 80% 이상인 단일 칩 패키지를 의미하는 것으로, 플립칩 기술의 장점인 칩 크기 패키지, 고 전기적 성능, 격자형 I/O 배열, 직접적인 열 방출 특성과 기존 표면실장기술(Surface Mounting Technology(SMT))의 장점인 새로운 투자 없이 기존 SMT 장비를 활용 가능하며, 검사 가능, 수리 가능 등의 장점을 갖는 기술입니다.

CSP 기술의 장점은 다음과 같습니다. 

․SMT 패키지 또는 플립칩 패키지 보다 고가 가능성 등이 있습니다.

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