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CSP는 미세피치 패키지와 BGA 패키지가 더욱 발전한 차세대 패키지로서 BGA 기술, 플립칩 기술, 기타 와이어 본딩 및 몰딩기술 등 기존 패키지 기술의 장점을 모두 사용한 것으로 반도체 칩 크기보다 약간 큰 (칩/패키지 면적 비율 80% 이상) 패키지를 말합니다. CSP 기술은 기존 단일 칩 패키지기술 중에서는 가장 작고, 가벼우며, 뛰어난 전기적 성능과, 일반 표면실장기술을 이용할 수 있는 장점을 갖고 있습니다. 그러나 경박단소화에 따른 신뢰성 문제 및 CSP 규격화와 구조 문제, 높은 제조가격 등이 앞으로 해결되어야 할 숙제입니다. 이 같은 장단점에도 불구하고 미국, 일본 등을 중심으로 활발하게 여러 형태의 CSP 기술이 개발되고 있으며 이미 제품화가 되어 폭 넓게 사용 중에 있습니다.

다음시간에는 CSP기술의 장단점을 알아 보도록 하겠습니다.

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EMC에 사용되는 대표적인 에폭시와 경화제의 화학구조

에폭시는 여러 경화제(Hardener)의 조합으로 우수한 성능을 가진 3차원의 경화물을 얻을 수 있어 반도체용 몰딩 컴파운드의 수지로 널리 사용되고 있으며 EMC의 특성을 결정하는 가장 중요한 재료입니다.
반도체 패키지의 발전에 따라 EMC에 대한 요구특성이 변화하여 왔으며 일차적으로 에폭시의 개량을 통해 요구특성에 대응하고 있습니다.
그 개발동향을 보면, 1세대의 Novolac형 에폭시에서 저점도 에폭시, 저흡습 에폭시 및 높은 유리전이온도(Tg)를 나타내는 에폭시 등의 2세대 에폭시가 개발되어 적용되고 있습니다. 그리고, 위의 특성들을 혼용한 하이브리드(Hybrid)형 3세대 에폭시의 개발이 진행되어 일부는 양산에 적용 중에 있습니다.

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실란은 분자 중에 유기재료(유기 합성 수지 등)와 화학 결합하는 유기관능기(Organic functional group) 및 무기재료(무기 충진재, 유리, 금속 등)와 친화성, 반응성을 가지는 가수분해기(Hydrolyzable group)를 가지고 있어 유기 재료와 무기 재료를 결합시키는 기능을 가지고 있습니다. 이를 통하여 복합 재료의 기계적 강도, 내수성, 접착성 등의 품질 개량을 일으키어 접착제, 도료, 코팅제, 복합 강화수지, 합성고무, 무기 충전재 표면처리 등 폭 넓은 분야의 용도로 사용이 되고 있습니다.

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