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  1. 2012.12.13 SOP 기술
  2. 2012.12.12 Package Crack 및 Delamination
  3. 2012.12.11 기술개발 동향-가열 경화형 접착제
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MCM 기술의 연장이라 할 수 있는 SOP 기술은 미국의 조지아 공대 패키징 연구센터에서 활발하게 연구된 기술입니다. 개념은 MCM과 SOC(System On Chip)의 중간 단계로서 패키지 레벨에서 전자 시스템의 모든 개념을 포함하여 칩과 패키지의 기능을 최적화 한것입니다. 이에 반해 MCM은 단순히 칩들을 연결하는 것으로, SOP는 단순한 MCM의 개념을 넘어서는 시스템을 패키지 상에서 구현하는 것이 차이라고 할 수 있습니다.
SOP 기술은 플립칩, 고밀도 다중기판, 내장형 수동 소자, 기판 접속 등 관련 요소 기술로 이루어진 현재 전자 패키지 기술을 총망라한 기술입니다.

(1) 플립칩 기술
플립칩 기술은 패키지하지 않은 칩을 사용하는 기술로서 고속 컴퓨터용 CPU processor (Pentium 등), 정보 통신용 RF 칩(PCS RF 칩 등), 자동차, 가전 등에 제품화되고 있는 핵심 기술로서 UBM, bump 형성, redistribution, 기판 접속등의 기술이 핵심기술입니다.

(2) 고밀도 다중기판 기술
고밀도 다중기판 기술은 일반 저가 PCB 기판에 극소형 microvia를 형성하여 미세한 선폭, 피치를 구현함으로서 플립칩과 같은 고밀도 패키지를 조립하기 위한 기술입니다. 이미 Microvia를 형성하는 재료와 공정 기술이 제품화 되어 급속히 시장을 형성하고 있는 핵심기술입니다.

(3) 내장형 수동소자 기술
기존의 개별(discrete) 형태의 저항, 커패시터, 인덕터로 인한 접속공정, 신뢰성, 전기적 성능 문제를 한꺼번에 해결하기 위하여 이들을 PCB 기판 안에 내장함으로서 간단한 공정, 높은 신뢰성, 전기적 고성능을 구현하기 위한 획기적인 기술입니다.

(4) SOP 기판 접속기술
플립칩, 고밀도 다중 기판, 내장형 수동소자 기술을 구현하여 SOP 시스템을 제작하는 마지막 단계에 해당하는 조립기술입니다.

각 요소기술들은 독립적으로 활용되어 제품화되고 있는 기술로서 실제 여러 패키지 제품에 사용되고 있으며, SOP 기술은 이러한 요소기술들을 합한 시너지 효과를 극대화 하는 기술이라 하겠습니다.

 

 

 

 

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Free                                        Bonded/Cluster

 

Solder Reflow                                            Solder Reflow
(250℃, 1 min)                                            (250℃, 1min)
     Slowly Heat to 250℃

Moisture에 의한 Popcorn현상

 

⑴ Moisture in Polymer
Polymer내에 흡수된 수분은 미량으로 무질서하게 분산되어 있는 Free Water의 형태(상기그림참조)나 극성분자(Polar Groups)들 주위 및 미세한 Void내에 응집된 Bonded/Clustered H2O의 형태로 존재합니다.
이중 Popcorn현상에 큰 영향을 주는 형태는 상기그림두번째 상태이며 그 이유는 Polymer내부에 존재하는 수분의 99%이상이 Bonded/Cluster Water이기 때문입니다. Free Water는 Polymer내부에 존재하는 다른 형태의 수분에 비하여  극소량 (1% 미만)이기 때문에 상온에서 250℃로 급격히 온도를 올렸을 경우 그 증기압은 0.059 MPa 에서 0.085 MPa로 약 45%밖에 증가하지 않습니다. 따라서 무질서하게 분산되어 존재하는 Free Water는 Popcorn 현상에 큰 영향을 주지 않는 것으로 추정됩니다. 그러나 Bonded Water나 Clustered Water가 Polymer내에 1% 만 존재하더라도 250℃에서의 증기압은 2.8 MPa내지 4.4 MPa로, 상온대비 40 내지 80배의 기하급수적인 증가를 나타냅니다. 급격한 수분의 기체화가 반도체 Package의 Popcorn현상에 영향을 주는 것은 위그림과 같은 실험을 통해 확인된 바있습니다. 일반적으로 반도체 Package가 85% RH/85℃ Preconditioning을 거쳐 흡습된 후 바로 Solder Reflow(250℃, 1min)를 거치게 되면 Popcorn현상이 발생되었지만, Solder Reflow(250℃, 1min)전에  Pre-bake를 하거나, 흡습후 Solder Reflow 온도까지 서서히 Ramp Up한 경우에는 Popcorn현상이 발생되지 않았습니다.

 

⑵ X-Ray Inspection
현재 반도체 업계를 포함한  다양한 산업 현장에서 X-Ray를 이용한 Non Destructive Testing이 널리 이용되고 있습니다. 최근 사용되는 Micro Focus Source 및 High Resolution X-Ray Detector는 Real Time X-Ray Imaging System이며 과거 사용되었던 Film-based X-Ray의 단점인 Low Contrast 및 Noise를 보완한 것입니다. 이러한 X-Ray Inspection을 통해 외부 관찰로는 불가능한 Package내의 결점들을 Package의 파괴나 Mechanical Contact없이 정확하게 확인할 수 있게 되었습니다. 최신 X-Ray 장비는 Real Time Image 연출, Image 확대 및 Analysis System이 조합되어 현재 Package Inspection 용도로 널리 사용되고 있습니다. X-Ray 를 통해 가능한 Inspection 의 범위는 매우 다양하며 접착제 관련 용도로는 Die Attach Void및 Channeling등의 확인에 사용되고 있습니다. 그러나 X-Ray는 Package내부의 Delamination 또는 Micro Voiding의 확인이 매우 어렵다는 단점을 갖고 있습니다. X-Ray Image는 Sample을 투과한 X-Ray Beam의 흡수를 통해 얻어지며 Image의 확대 기법은 다음 두 변수의 비율(B/A)을 조절함으로써 확대비 조절이 가능합니다.

 

l X-Ray Source와 Sample간의 거리 
l X-Ray Source와 Detector간의 거리

 

X-Ray의 확대비율 = B/A

 

예를 들어 X-Ray Source와 Detector간의 거리가 증가할수록, 또는 Sample과 X-Ray Source간의 간격이 작을수록 Image는 확대되고 이론적으로는 A의 값이 0일 경우 무한한 확대가 가능할 것으로 보이나 현실적으로는 불가능합니다. 그 이유로는 X-Ray Beam이 상기그림에 나타난 바와 같이 X-Ray Source의 표면이 아닌 Source Tube 내부에서 조사되기 때문에 실제 확대에 있어서는 X-Ray Source를 구성하는 Tube의 내부 중심에서 표면까지의 거리, 즉 반경만큼의 한계가 존재합니다. X-Ray의 Energy별 Source에서 Tube표면까지의 거리는 다음과 같습니다.

 

 

X-Ray Source와 Tube표면과의 거리

 

상기표를 참고하면 X-Ray Source의 Energy가 낮을 수록 Source반경은 작기 때문에 위의 Source중에서는 70KV Source를 이용하는 것이 Sample의 가장 큰 확대비를 기대할 수 있습니다.

 

(3) SAT (Scanning Acoustic Tomography)

 

 

SAT의  구조

 

반도체 Package의 Crack이나 Delamination의 유무를 확인하기 위해 여러가지 방법이 사용되고 있지만 일반적으로 Acoustic Microscopy라는 Technology를 사용함으로써 Package를 절단하지 않고 Crack이나 Delamination등과 같은 내부결함을 간단하게 Check할 수 있으며 Void도 찾아낼 수 있습니다. Acoustic Microscopy는 Test할 Sample에 Ultrasonic Wave(초음파)를 Expose하여 Air Gap의 Large Acoustic Impedance로 인해 반사되는 원리를 이용한 것으로서 Package내 불연속성의 원인이 되는 Void, Separation, Delamination등을 Check할 수 있습니다(상기그림참조).


l Ultrasonic Wave (초음파)란:
초음파는 Mechanical Energy의 일종으로서 일반적으로 20 KHz이상의 진동수를 갖는 음파를 말합니다. 초음파는 짧은 파장으로 빛과 같은 직진성을 갖으며, 조사되는 물질의 탄성에 매우 민감하여 Interface에서 반사하는 특징을 가지고 있습니다. 때문에 Package내에 있는 결함의 크기, 위치, 방향, 모양등의 정확한 측정이 가능합니다. 이러한 초음파는 반도체 Package내부의 Delamination 및 Void 그리고 Crack으로 인해 생긴 Air Gap에서 반사되며, Lens를 통해 반사된 초음파는 System내의 Transducer를 통해 Display System에 명암의 차이로 나타납니다.

 

 

Example of Acoustic Scanning Microscopy Image

 

일반적으로 High Resolution Acoustic Image를 나타내기 위해 다음과 같은 두가지 방법이 사용되며 그예는 상기그림에 나타내었습니다.


A. Transition Mode (TSAM)
초음파가 Sample을 통하여 전파되는 동안에 반사되는 Signal의 부족으로 인해 Image Contrast가 형성되는 원리를 이용한 방법으로 간단하게 Package내의 불연속성을 Check할 수는 있으나 어느 계면에서 Air Gap이 생겼는지를 알 수 없는 단점이 있습니다. 상기그림 에서 Delamination은 A와 B계면에서 각각 발생되었지만 TSAM의 경우 계면의 구분없이 명암이 나타나므로 Delamination이 생긴 것은 알수 있지만 어느 계면에서 생겼는지는 전혀 알 수 없습니다.


B. Reflection Mode (C - SAM)
초음파를 이용한 검사법중 가장 정확하다 할 수 있는 방법으로 검사하고자 하는 반도체 내부의 계면에서 반사되어 돌아오는 파장의 위치와 강도를 분석하여 Image를 형성하는 것을 원리로 한 방법입니다. Package내부를 Focusing할 수 있기 때문에 Delamination이 생긴 정확한 계면을 찾아낼 수 있습니다. 참고적으로 각 Interface별 반사율에 대한 공식을 아래에 나타냈습니다.

R(%)   =    반사율         Z1 = 입사 물질의 Acoustic Impedance
                                  Z2 = 반사 물질의 Acoustic Impedance

 

한 예로 Silicon Chip과  Epoxy Mold Compound 경계면에서의  반사율은 다음과 같이 계산됩니다.
l EMC의 Acoustic Impedance (Z1) : 6.76
l Silicon Chip의  Acoustic Impedance (Z2) : 20.04
R(%) = 49.6%

 

 

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The reaction mechanism of dicyandiamide

 

1) 에폭시계 접착제
가열경화형 에폭시 수지의 경화제로서는 활성수소를 가진 아민계 경화제, 페놀성 수산기를 가진 경화제 및 산무수물 경화제가 주로 사용되고 있습니다. 특히 아민계 및 페놀계 경화제는 일액형 재료로서 많이 이용되고 있습니다. 일액형으로 사용되는 아민계 경화제는 잠재성 경화제라고 하는 분말상으로 실온에서는 에폭시 수지중에 용해되지 않고 분산되어 있기 때문에 반응의 진행이 매우 느려 저장안정성이 우수하고, 아민의 융점 이상으로 가열하면 에폭시 수지와 반응하여 경화됩니다. 아민계 경화제중 가장 많이 이용되고 있는 경화제로서 디시안디아미드(DICY)가 있으며 그 반응메커니즘을 상기그림에 표시하였습니다.
DICY만으로 경화시킬 경우 상온에서의 포트라이프는 6-12개월로 저장안정성은 우수하지만, 150 ℃ 이상의 온도에서 장시간 반응을 필요로 하는 단점이 있습니다. 그래서 일반적으로는 반응온도의 저온화와 경화속도의 향상시키기 위해 경화촉진제가 병용되고 있습니다. 경화촉진제로서는 이미다졸류와 요소유도체가 이용되고 있으며, 촉진제를 사용함으로써 저장안정성이 양호해지며, 150 ℃에서 단시간 경화가 가능하여집니다.
전기전자분야를 중심으로는 저온 속경화가 요구되고 있으며, 저장안정성, 경화촉진성이 우수한 아민 부가물 경화제나 반응성이 높은 이미다졸류를 마이크로캡슐화 한 것도 실용화되고 있습니다. 아민부가물 경화제는 아민계 화합물과 에폭시수지의 반응물 또는 아민/이소시아네이트/요소 반응물이 검토되고 있습니다. 이들 반응물은 모두 고체이기 때문에 미분말화하여 에폭시수지에 분산하여 사용되며, 분말표면에 에폭시수지에 활성인 작용기가 존재하기 때문에 표면처리제로서 이소시아네이트 화합물이나 산성물질등을 사용하여 안정화합니다.
아민 부가물을 디시안디아미드의 경화촉진제로 사용할 경우 종래의 이미다졸류와 비교하여 저장안정성이 우수하고, 100-120 ℃에서 경화가 가능합니다. 최근에는 마이크로캡슐형 경화제와 경화촉진제도 많이 제안되고 있으며, 저온 속경화가 기대되고 있습니다. 마이크로캡슐 재료로는 폴리스티렌, 폴리메타크릴산메틸, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 폴리우레아수지, 폴리우레탄수지등이 검토되고 있습니다. 또한 디시안디아미드 이외의 접착성이 우수한 잠재성 경화제로서는 아민부가물 경화제와 유기산히드라지드 등이 있으며, 디시안디아미드계와 비교하여 첨가량이 매우 많아지고, 에폭시 수지의 점도가 높아지는 문제가 있습니다. 현재로서는 열 경화형으로써 일액형 에폭시계 접착제로는 디시안디아미드와 경화촉진제를 조합하는 방법이 가장 일반적으로 사용되고 있습니다.
한편 에폭시계 트랜스퍼몰드용 반도체 봉지재의 경화제로는 수산기를 가진 경화제가 사용되고 있으며, 에폭시수지와 크레졸형 또는 노볼락형 수지가 주로 사용되고 있습니다. 이들 반응은 무촉매에서도 비교적 용이하게 진행하며, 3급아민이나 트리페닐포스핀이 사용되고 있습니다. 특히 트리페닐포스핀을 사용할 경우 에폭시 수지의 자기중합이 없고, 수산기와 에폭시기의 반응만을 촉진하지만, 저장안정성이 악화되기 때문에 화학적 또는 물리적 표면처리를 하여 사용하고 있습니다. 이들 반응에서는 경화 후 수산기가 생성되기 때문에 접착성이 우수합니다. 페놀수지는 실온에서 고형 타입이 주류이지만, 알킬쇄가 존재하기 때문에 경화물의 유리전이온도가 낮은 문제가 있습니다. 3급아민을 촉매로 사용할 경우 아민이 구핵적으로 산무수물에 작용하여 카르복시 음이온이 생겨 에폭시 수지와 반응이 진행됩니다. 이 음이온반응이 진행하는 한 에테르결합은 생성되지 않습니다.


2) 우레탄계 접착제
열경화성 우레탄 재료는 주로 이소시아네이트기를 에타-카프로락탐 등으로 블록하여 실온에서 안정화 시키고, 가열에 의해 블록제를 해리함으로써 활성 이소시아네이트가 생성되어 디아민계 경화제와 반응하여 경화되는 시스템 입니다. 이 경화방법에서는 저온에서 경화 시키기위해 해리 촉매와 블록제의 구조가 중요한 인자로 됩니다. 그러므로 경화온도는 100 ℃가 한계이며, 반응시간도 20분 정도 필요합니다. 이를 개선한 방법으로 이소시아네이트기를 블록하지않고 열경화 재료를 얻기 위해 특수한 잠재성 경화제를 사용함으로써 실온에서 저장안정성이 우수하고, 저온에서 단시간에 경화할 수 있는 재료가 개발되어 있습니다.

 

 

 

 

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