티씨씨가운영하는블로그

'전체 글'에 해당되는 글 2670건

  1. 2012.09.24 WLCSP 공정
  2. 2012.09.19 접착 이론
  3. 2012.09.19 EMC 산업의 세계시장 가격동향 및 업체동향
728x90

 

Singulation 공정 전 wafer와 Singulation 후 WLCSP

 

WLCSP 공정은 일반적으로 다음 순서를 따르며 각 공정에서 고려해야 할 사항은 다음과 같습니다.


1) Assembly 공정
Assembly 공정은 wafer sawing과 backside 코팅 공정으로 나누어집니다. sawing 시에는 chip edge의 chipping을 방지하기 위해 high quality sawing 공정을 사용하여야 합니다. 또한 wafer의 뒤를 액체나 필름을 사용하여 코팅함으로서 소자의 light leakage를 개선하거나 마킹을 용이하게 하며, chipping 등을 방지할 수 있습니다.

 

2) Wafer Pick & Place
플립칩 CSP는 칩의 edge crack에 매우 민감합니다. 따라서 공정의 엄격한 관리 및 handling은 WLCSP 수율과 신뢰성에 큰 영향을 줍니다. 기본적으로 WLCSP는 칩을 보호해줄 재료의 양이 매우 적음으로 pick & place 또는 chip shooting 시 노출되어 있는 칩의 외부 충격을 방지해야합니다.

 

3) Wafer thinning
wafer thinning은 얇은 박편의 패키지를 제조할 수 있고, 열관리 측면에서도 유리하며, 응력을 감소시키는데도 유리합니다. 그러나 wafer 상태나 범프가 되어 있는 wafer 상태의 thinning은 항상 수율에 큰 영향을 줍니다. 250-300㎛ 두께의 thinning은 매우 보편적이며, 150㎛ 두께도 가능합니다. 그러나 150㎛ 두께 이하의 경우 현실적으로 매우 어렵습니다.

 

4) Rework
대개의 WLCSP의 경우 주변형 I/O보다 피치간격이 넓은 격자형 I/O를 사용함으로 결함의 발생율이 상대적으로 적습니다. 그러나 격자형의 경우 검사가 용이하지 않음으로 이에 따른 수리가 쉽지 않습니다. 따라서 대부분의 WLCSP는 거의 수리하지 않고 문제가 발생할 경우 폐기합니다. 또한 CSP에 사용되는 HDI 기판의 경우 더욱 수리가 용이하지 않으며, 수리 후의 클리닝시 화학용액으로 인한 WLCSP의 손상에 대해서도 유의해야합니다.

 

5)  Burn-In 테스트
Wafer 상태에서의 burn-in 테스트는 매우 어려운 과제로서 검사속도를 유지하면서 충분한 전력을 공급하는 문제, 계속적인 솔더 범프와의 접촉에 따른 문제, RF 환경에서의 측정 등은 매우 어려운 기술적 문제입니다.

 

6) Underfill
일반적으로 WLCSP에는 underfill이 필요하지 않으나 특별히 높은 신뢰성을 요구하거나 내충격 특성을 요구하는 경우 underfill을 사용합니다. Underfill의 종류에는 플로우, 비플로우(no-flow), wafer-level의 3가지 있습니다. 플로우 형태는 가장 보편적으로 사용되는 것으로 액체를 칩 측면에 공급하여 미세관 현상으로 스며 들어가게 하는 것입니다. 비플로우의 경우는 액체 또는 필름의 형태로 칩이 underfill을 통해 정착되며 underfill 경화와 솔더 범프 리플로우잉이 동시에 일어납니다. 현재에는 플로우 형태에 비해 신뢰성의 문제가 있는 것으로 알려져 있습니다. Wafer-level의 경우 wafer 전체에 도포하며 B-stage 형태로 경화하여 사용하며 no-flow와 같이 underfill 경화와 리플로우잉이 동시에 일어납니다.

 

 

 

 

영홈페이지 : http://www.tcctech.co.kr
QR 코드 :

'반도체 패키징기술' 카테고리의 다른 글

MCM 기술동향-MCM-L, MCM-C  (0) 2012.10.08
MCM 기술동향  (0) 2012.10.02
WLCSP 신뢰성  (0) 2012.09.17
Lead Carrier WLCSP  (0) 2012.09.10
Compliant Lead CSP  (0) 2012.09.05
Posted by 티씨씨

접착 이론

접착제란? 2012. 9. 19. 09:30
728x90

 

Polymer System과의 Bonding Mechanism

 

접착이란 두 물질간의 물리적 혹은 화학적 친화력에 의해 결합되는 현상이며 결합된 두 물체의 상호작용력은 접착강도로 상대평가될 수 있습니다. 반도체 Package의 조립에 사용되고 있는 Polymer계의 재료들은 금속과는 다른 원자들 상호간의 여러 Mechanism에 의해 그 결합이 이루어졌습니다. 금속과 금속간 결합의 경우 상호 원자의 확산에 의해 형성되는 합금 또는 중간 화합물(Intermetallic Compound)이 하나의 접착층으로 간주될 수 있습니다. 예를 들어 Die Attach후 진행되는 Wirebonding 공정의 Gold Wire와 Aluminum Pad가 결합되는 것은 상호 확산 계수차가 큰  Gold와 Aluminum이 물리적으로 1차 접착한 후 접착 계면을 통해 Al 원자가 Au층으로 급속하게 확산되면서 Al2Au, AlAu, AlAu2등과 같은 중간 화합물을 형성함으로써 강한 결합력을 유지할 수 있음이 이론적으로 정립된 바 있습니다. 그러나  Polymer간의 접착 이론은 금속과 같이 명확하게 규명되어 있지 않으며 접착 계면에서 구조나 특성이 유사한 고분자 사슬간의 운동성에 의한 상호 확산으로 접착을 이루는 것으로 추정됩니다. 그러나  Polymer는 대부분 동종의 물질이 아닌 성질이 상이한 금속, 세라믹, 플라스틱등과 같은 Substrate와의 접착에 많이 이용됩니다. 이 같은 경우  접착 경계면에 존재하는 상호작용력은 다음과 같이 분류할 수 있으며 그 구조적인 차이는 위그림에 잘나타냈습니다.

 

 

 

각종 결합의 Potential Energy 비교곡선

 

A.  공유 결합(Primary Covalent Bond : 두 원자가 한 쌍의 전자를 공유하는 결합)
B.  수소 결합(Hydrogen Bond : 수소와 전기 음성도가 큰 원자( N, O, F )와의 인력)
C.  쌍극 작용(Dipole Interaction : 반대 전하사이의 인력 또는 같은 전하사이의 반발력)
D.  반 데르 발스 결합 (Van der Waals Bond : 분자간 쌍극인력)
E.  이온 결합(Ionic Bond : 서로 다른 두 원자간의 전자전이로 이루어 지는 결합)
 

 

이와 같이 상이한 물질간의 경계면에 존재하는 다양한 상호작용력 가운데 어느 것이 두 물질간의 접착력에 주도적으로 작용하는 지에 대해서는 아직까지 명확히 규명되지는 않았으나 공유 결합, 수소 결합, Van der Waals 결합등이 계면 접착에 주로 영향을 미치는 것으로 보고 있습니다. 상기그림은 공유 결합, 수소 결합, Van der Waals결합의 Potential Energy 차이를 나타내고 있습니다. 공유 결합은 원자와 원자의 화학 결합인 관계로 원자간 거리가 상대적으로 짧고 강력한 인력으로 결합되어 있는 반면 분자와 분자 사이의 결합 형태인 수소 결합이나 Van der Waals 결합은 상대적으로 결합 거리가 길고 Energy도 훨씬 작음을 알 수 있습니다.



결합 Energy

 

Metal Substrate의 경우 접착제와 Substrate사이의 극성 또는 산,염기의 상호 작용이 가장 강한 접착력이라 볼 수 있으며 이런 형태의 결합은 Substrate에 존재하는 Hydroxyl계와 접착제의 Hydroxyl 또는 Amine계 성분이 상호 작용하는 수소 결합입니다. 또 하나 고려할 Mechanism은 화학 결합을 통해 Substrate와 접착제가 상호 결합되는 것인데 이 경우 반응은 Substrate와 접착제의 Base Resin 또는Coupling Agent가 서로 작용하는 것으로 볼 수 있다. 상기표는 각종 결합 또는 상호작용력의 일반적인 결합 Energy를 나타내고 있습니다.

앞에서 언급된 상호작용력에 기인하여 일반적으로 반도체 조립에 사용되고 있는 물질중 접착제와의 접착력이 좋은 물질부터 나열해 보면 다음과 같습니다.
A.  Bare Silicon
B.  Epoxy / Polyimide
C.  Copper(Copper Oxide)
D.  Silver
E.  Gold

Gold나 Silver의 경우 화학적으로 매우 안정적이고 내산화성이 있어 화학적 상호작용력이 다른 물질과 비교해 현저히 낮으며 상대적으로 접착력이 떨어집니다. 반면에 Silicon은 항상 얇은 층의 Oxide(Native Oxide)가 존재하기 때문에 Hydrogen Bonding이 형성되어 접착력을 강화시킵니다.

 

 

 

 

영홈페이지 : http://www.tcctech.co.kr
QR 코드 :

Posted by 티씨씨
728x90

 

 

세계 EMC가격은 반도체가격의 하락과 EMC 시장내의 경쟁격화, 그리고 원료가격의 하락으로 전반적인 약세를 면치 못하였습니다. 일본 시장에서는 개별소자용 EMC 가격이 kg당 4.36~4.94달러, 마이크로프로세서용은 kg당 5.76~6.58달러, 그리고 메모리용은 kg당 17.28~20.58달러의 가격을 유지하였습니다.
세계 EMC 시장에서 일본기업들이 차지하는 비중은 많습니다. 일본업체가 세계시장의 80%이상을 차지하고 있는 가운데 최근 한국기업들이 기술발전에 힘입어 세계시장에서차지하는 비중이 약 12%로 증가하였 습니다. 일본기업들과 한국기업들은 최근 유럽과 미국이 환경규제를 강화함에 따라, 양국 기업들 거의모두가 이미 납(Pb) 성분이 없는 EMC를 개발해 놓은 상태입니다. 또EMC의 난연제로 사용되고 있는 할로겐과 안티몬이 소각시 다이옥신을 발생시키기 때문에 양국 기업들은 이들 성분을 대체하기 위한연구를 진행하고 있습니다.
한편 일본의 기업들은 기술력과 생산능력면에서 세계 EMC 시장을 지배하고 있습니다. 우리나라 4대 EMC 제조업체들의 시장점유율은 10.8%를 기록하고 있는데 이는 우리나라 반도체산업의 세계 시장점유율을 고려할 때, 일본기업들이 우리나라 EMC시장을 크게 잠식하고 있음을 알 수 있습니다.

 

 

 

 

영홈페이지 : http://www.tcctech.co.kr
QR 코드 :

'접착제란?' 카테고리의 다른 글

용도별 접착제 특허분석비교  (0) 2012.09.24
접착 이론  (0) 2012.09.19
경화 방법별 접착제 특허분석비교  (0) 2012.09.17
Die Attach Adhesive의 기본  (0) 2012.09.12
특성별 접착제 특허분석  (0) 2012.09.10
Posted by 티씨씨